发布时间：2024-07-26 17:02 公司开发团队因研发了开创性的BiCS FLASH 3D闪存技术而受到表彰
东京--(美国商业资讯)-- NAND闪存的发明者Kioxia Corporation荣获2024年“FMS未来内存和存储终身成就奖”。由Hideaki Aochi、Ryota Katsumata、Masaru Kito、Masaru Kido和Hiroyasu Tanaka组成的Kioxia工程团队将领取这一殊荣，以表彰其在3D闪存开发和商业化方面的开创性工作。这项突破性技术已成为一系列计算应用的基础，包括先进智能手机、个人电脑、固态硬盘、数据中心、人工智能和工业。

Kioxia在2007年的VLSI研讨会上提出了BiCS FLASHTM 3D闪存技术的概念。在公布原型后，Kioxia继续通过开发优化该技术，以实现量产，最终于2015年推出了全球首款256千兆比特(Gb)、48层3D闪存。

FMS总主席Chuck Sobey表示：“Kioxia在3D闪存领域的创新彻底改变了数据存储，将其从现有技术的单纯进步转变为满足现代计算需求的开创性解决方案。我们很高兴能展示这一重要贡献，并期待着看到未来的发展。”

BiCS FLASH 3D闪存采用3D堆叠结构，可提高容量和性能，一直是存储行业的变革力量。该技术实现了更高密度的存储解决方案，同时保持了可靠性和效率，极大地增强了数据中心、消费电子产品和移动设备的功能，并为闪存技术设立了新标准。通过利用垂直堆叠技术，Kioxia的BiCS FLASH技术解决了平面NAND闪存的局限性，为内存存储解决方案的未来发展铺平了道路，并巩固了Kioxia Corporation作为行业领导者的地位。

Kioxia Corporation内存部门副总裁兼技术主管Atsushi Inoue表示：“Kioxia在3D闪存领域的技术创新怎么强调都不为过。我们的技术开创了行业的新范式，使闪存大大提高了每个单元、裸片和封装的存储密度。我很高兴看到我们的成就得到认可，并期待见证它们在未来几年的持续影响力。”

Kioxia Corporation先进存储器开发中心高级研究员Ryota Katsumata表示：
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