2
(1:1)



2
(1:1)





默认输出逻辑



低



高



低



高





封装



SOIC8-N





绝对
最大
额定值



工作温度Topr (°C)



-40至125





存储温度Tstg (°C)



-65至150





最大隔离

耐压（60秒）

BVS (Vrms)



Ta=25°C



最大值



3000





推荐
运行
条件



电源电压

VDD1, VDD2 (V)



Topr=-40至125°C



2.25至5.5





电气
特性



共模

瞬态抗扰度

CMTI (kV/μs)



VI=VDDI或0V，

VCM=1500V，

Ta=25°C


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