发布时间：2025-12-03 08:47 主要特点
在1210英寸（3.2×2.5mm）尺寸、额定电压1.25kV且具备C0G特性的前提下，实现了15nF特大静电容量的多层片式陶瓷电容器。
1.25kV高耐压，适配SiC MOSFET。
C0G特性带来低损耗与稳定的电容值。
日本京都--(美国商业资讯)--株式会社村田制作所(TOKYO: 6981)（以下简称“村田”）初次开发(1)并开始量产了1210英寸（3.2×2.5mm）尺寸、额定电压1.25kV、具备C0G特性的、15nF静电容量的多层片式陶瓷电容器（以下简称“本产品”）。该产品可用于车载充电器（OBC）(2)及高性能民用电子设备的电源电路，有助于实现高效率的电力变换，并在高电压条件下稳定运行。

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(1) 由村田调查得出。截至2025年12月1日。





(2) 车载充电器（OBC）：安装于电动汽车（EV）上，从外部电源为车载电池充电的装置。





在电动汽车搭载的车载充电器以及民用设备的电源电路中，通常会包含用于高效电力变换的谐振电路，以及用于遏制电流、电压峰值的缓冲（吸收）电路。由于这两类电路中高电压与大电流反复作用，元件性能的轻微变化就可能导致效率下降、设备发热，进而可能引发工作异常或故障。因此，市场亟需具备在温度变化下性能稳定、损耗低且能承受高电压的电容器。
近年来，电源电路中的开关器件(3)正从Si MOSFET(4)向能够实现更高效率与高速开关的SiC MOSFET转移。SiC MOSFET(5)通常要求1.2kV的耐压规格，因此对额定电压高于该水平的电容器需求在增加。





(3) 开关器件：以高速对电流进行通断控制，实现电压与频率变换的半导体器件。





(4) Si MOSFET：采用硅半导体
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