的电力控制用开关器件。多用于低至中耐压场景。





(5) SiC MOSFET：采用碳化硅的高耐压、高效率电力控制用开关器件。多用于超过1.2kV的场景。





为此，村田通过特有的陶瓷素体与内部电极薄层化技术，首次在1210英寸尺寸实现了额定电压1.25kV、具备C0G特性、静电容量为15nF的本产品，并已开始量产。借助C0G特性的低损耗及电容随温度变化的稳定性，本产品适用于谐振电路与缓冲（吸收）电路。
今后，村田将继续推进多层片式陶瓷电容器的小型化、电容值扩展以及额定电压的提高，扩充产品阵容以满足市场需求，从而助力电子设备的小型化、高性能化与多功能化。同时，村田将通过在MLCC制造过程中更有效地利用天然资源、减少废弃物并推进循环利用等举措，以降低环境负荷。

主要特点


在1210英寸（3.2×2.5mm）尺寸、额定电压1.25kV且具备C0G特性的前提下，实现了特大15nF静电容量的多层片式陶瓷电容器。

1.25kV高耐压，适配SiC MOSFET。

C0G特性带来低损耗与稳定的电容值。


主要规格





芯片尺寸代码（英寸/毫米）



1210英寸（3.2×2.5mm）





温度特性（对应标准）



EIA





温度特性



C0G





工作温度



-55~125℃





电容值



4.7~15nF





电容容差



±1~±5%





额定电压（DC）

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