(5) SiC MOSFET：採用碳化矽的高耐壓、高效率電力控制用開關元件。多用於超過1.2kV的場景。





為此，村田透過特有的陶瓷素體與內部電極薄層化技術，首次在1210吋尺寸實現了額定電壓1.25kV、具備C0G特性、電容量為15nF的本產品，並已開始量產。借助C0G特性的低損耗及電容隨溫度變化的穩定性，本產品適用於諧振電路與緩衝（吸收）電路。
今後，村田將繼續推進多層片式陶瓷電容器的小型化、電容值擴充以及額定電壓的提高，擴充產品陣容以滿足市場需求，從而協助電子裝置的小型化、高效能化與多功能化。同時，村田將透過在MLCC製造過程中更有效地利用天然資源、減少廢棄物並推進循環利用等措施，以降低環境負荷。

主要特點


在1210吋（3.2×2.5mm）尺寸、額定電壓1.25kV且具備C0G特性的前提下，實現了特大15nF電容量的多層片式陶瓷電容器。

1.25kV高耐壓，適配SiC MOSFET。

C0G特性帶來低損耗與穩定的電容值。


主要規格





晶片尺寸程式碼（吋/公釐）



1210吋（3.2×2.5mm）





溫度特性（對應標準）



EIA





溫度特性



C0G





工作溫度



-55~125℃





電容值



4.7~15nF





電容容差



±1~±5%





額定電壓（DC）



1,250Vdc

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