发布时间：2026-01-29 15:30 第8 代BiCS FLASH技术实现强大的性能和效率提升
东京--(美国商业资讯)-- Kioxia Corporation（铠侠）是全球领先的内存解决方案提供商，今天宣布该公司采用每单元4位的四层单元（QLC）技术的新款通用闪存1（UFS）版本4.1嵌入式内存器件开始送样。新款器件专为读取密集型应用和大容量存储需求而设计，采用Kioxia的第8 代BiCS FLASHTM 3D闪存技术。

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QLC UFS相比传统TLC UFS具有更高的位密度，非常适合需要大存储容量的移动应用。得益于控制器技术和纠错技术的进步，让QLC技术能够在实现这一目标的同时，保持有竞争力的性能。

在这些技术进步的基础上，Kioxia的新款器件实现了显著的性能提升2。与上一代（UFS 4.0 / BiCS FLASH™6 QLC UFS）相比，Kioxia的QLC UFS将顺序写入速度提升了25%，将随机读取速度提升了90%，并将随机写入速度提升了95%3。写放大系数（WAF）也提升了最高3.5倍（在禁用WriteBooster的情况下）。

Kioxia QLC UFS不仅非常适合智能手机和平板电脑，此外同样支持需要更高容量和性能的新型产品，包括个人电脑（PC）、网络、增强现实/虚拟现实（AR/VR）、物联网（IoT）以及启用人工智能（AI）的设备。

新款UFS 4.1器件提供512 GB和1 TB两种容量，将Kioxia先进的BiCS FLASH™ 3D闪存与集成的控制器组合在JEDEC标准封装中。Kioxia的第8代BiCS FLASH™ 3D闪存推出了CMOS直接键合阵列（CBA）技术，这一架构创新标志着闪存设计领域的一次飞跃式改变。

主要特点包括：


符合UFS 4.1规范。UFS 4.1向后兼容UFS 4.0和UFS 3.1。

第8代Kioxia BiCS FLASH™ 3D闪存

支持WriteBooster，显著提升写入速度

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