Toshiba开始出货内置MOSFET的全新SmartMCD系列电机驱动集成电路样品
===2026/5/15 19:06:56===
LIN、UART(与LIN共用)、SPI
主要错误检测
欠压检测(Vcc(生成5V))
过压检测(Vdd(生成1.5V))
过电流检测(电机电流、高侧驱动器)
VCP(电荷泵电压)检测(过压/欠压)
内置MOSFET的漏源电压(VDS)检测(高侧/低侧)
热关断等
绝对最大额定值
电源电压Vbat (V)
-0.3至+40
工作范围
电源电压Vbat (V)
6至18
工作温度Topr (°C)
Ta=-40至+150
Tj=-40至+175
封装
名称
P-VQFN36-0606-0.50-004
尺寸(mm)
典型值
6.0×6.0
可靠性
符合AEC Q100 0级标准
符合ASIL B安全等级
注:
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