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Toshiba开始出货内置MOSFET的全新SmartMCD系列电机驱动集成电路样品
===2026/5/15 19:06:56===


LIN、UART(与LIN共用)、SPI





主要错误检测



欠压检测(Vcc(生成5V))

过压检测(Vdd(生成1.5V))

过电流检测(电机电流、高侧驱动器)

VCP(电荷泵电压)检测(过压/欠压)

内置MOSFET的漏源电压(VDS)检测(高侧/低侧)

热关断等





绝对最大额定值



电源电压Vbat (V)



-0.3至+40





工作范围



电源电压Vbat (V)



6至18





工作温度Topr (°C)



Ta=-40至+150





Tj=-40至+175





封装



名称



P-VQFN36-0606-0.50-004





尺寸(mm)



典型值



6.0×6.0





可靠性



符合AEC Q100 0级标准

符合ASIL B安全等级






















注:



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