工艺取得的进展体现了工艺集成、器件均匀性和系统级协同设计方面的持续进步。

MLX200与MLX201平台专为对功耗和响应时延要求严苛的边缘AI应用场景设计，涵盖语音和音频处理、穿戴式设备、物联网系统以及全天候感知等领域。评估样品预计将于2026年下半年开始提供，多比特RRAM存储器IP现已开放评估和潜在授权使用。

TetraMem联合创始人兼首席执行官Glenn Ge博士评论道：“这一里程碑体现了我们与代工厂合作伙伴TSMC多年来的紧密合作，并证明了将多比特RRAM和模拟内存计算从计算架构突破转化为先进节点商用硅片的可行性。我们相信，这种方法为提高下一代AI系统的能效和可扩展性提供了一条切实可行的途径。”

MLX200平台的成功实现凸显了基于多比特RRAM的模拟计算在先进半导体工艺上的可行性。TetraMem将继续推进这项技术的发展，以更高的能效和系统可扩展性来支持新兴的AI工作负载。

关于TetraMem

TetraMem是一家位于硅谷的半导体公司，率先将多比特RRAM技术应用于模拟内存计算领域。其自研架构融合存储与计算功能，大幅减少AI任务运行过程中的数据传输损耗并提升能效。凭借在器件、电路和系统协同设计方面的雄厚实力，TetraMem正在推进面向边缘AI和未来高性能计算的可扩展解决方案，并与领先的代工厂和生态系统合作伙伴紧密合作，将基础科学突破性技术转化为商业化的可变批量生产。

免责声明：本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用，烦请参照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。


在 businesswire.com 上查看源版本新闻稿: https://www.businesswire.com/news/home/20260516889222/zh-CN/


CONTACT:

媒体联系人：
Glenn Ge
pr@tetramem.com
搭配五美分硬币作尺寸参照的MLX200芯片实拍图
=*=*=*=*=*=
当前为第2/2页
上一页-
=*=*=*=*=*=
返回新闻列表
返回网站首页