NEDO）资助。

注：
[1]在半导体衬底中形成微细沟槽，并将栅电极嵌入沟槽内部的器件结构。
[2]截至2026年5月的Toshiba调研。
[3]新开发的1200V SiC MOSFET与Toshiba第三代SiC MOSFET（TW015Z120C）的比较。截至2026年5月的Toshiba调研。

应用


数据中心电源（AC-DC、DC-DC）

光伏逆变器

不间断电源（UPS）

电动汽车充电站

储能系统

工业电机


特性


低导通电阻和低DS(on)A

低开关损耗和低DS(on)× Qgd

较低的栅极驱动电压：VGS_ON=15V至18V

高热性能QDPAK封装


主要规格





（除非另有说明，Tvj=25°C）





器件型号



TW007D120E





封装



名称



QDPAK





绝对最大额定值



漏极-源极电压VDSS（V）



1200





漏极电流（DC）ID（A）



Tc=25°C



172





电气特性



漏极-源极导通电阻RDS(on)（mΩ）



VGS=15V



典型值



7.0





栅极阈值电压Vth（V
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