）



VDS=10V



3.0至5.0





总栅极电荷Qg（nC）



VGS=15V



典型值



317





栅极-漏极电荷Qgd（nC）



VGS=15V



典型值



33





输入电容Ciss（pF）



VDS=800V



典型值



13972





二极管正向电压VSD（V）



VGS=0V



典型值



3.2





注：开发中产品的规格和时间计划如有变更，恕不另行通知。





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SiC功率器件

*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，为截至公告之日的最新信息，但如有变更，恕不另行通知。

关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。

公司在全球的17,400名员工致力于最大限度提高产品价值，并促进
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