发布时间：2026-06-01 13:22 新款紧凑、超薄电源设计采用高集成度、1700V额定耐压的PowiGaN单HEMT IC， 可节省空间、简化方案、提升可靠性并减少BOM元件数，同时实现高达88%的效率
中国台湾台北--(美国商业资讯)--台北国际电脑展(COMPUTEX)讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出两款全新超薄紧凑型辅助电源参考设计，专为800VDC AI数据中心打造。其中一款单路输出15W设计的尺寸仅为30mm×30mm，厚度为7mm；另一款隔离式、六路输出、35W设计的尺寸仅为80mm×60mm，厚度为8mm。这两款超紧凑型设计方案专为NVIDIA的Kyber液冷刀片式机架架构优化设计，可在布局密集的主配电板(PDB)上节省约30%空间，同时BOM元件数预计减少30%，进而简化设计并提升整体可靠性。这两款设计效率极高，在整个输入电压和负载范围内，效率均不低于88%。

本新闻稿包含多媒体。此处查看新闻稿全文： https://www.businesswire.com/news/home/20260531256250/zh-CN/

Power Integrations高级培训经理Jason Yan表示：“Power Integrations是率先推出单HEMT 1700V GaN器件的公司，因此能够打造这款业界顶尖、高能效的反激式电源。该方案物料清单精简，同时可在800V母线电压下保持充足的安全裕量。市面上其他替代方案均采用分立碳化硅(SiC)器件，不仅成本更高，所需元件数量与占用空间也会多出30%。”

最新发布的设计范例报告介绍了两款分别为35W和15W的反激式辅助电源，适用于高压AI数据中心场景。这类紧凑型电源单元(PSU)为微控制器、栅极驱动器、运算放大器等内部元件供电，这些元件执行关键的“控制与内部管理”功能，确保可靠运行、高能效及系统安全。

这两款设计均采用Power Integrations的InnoMux™-2 IC，该器件搭载1700V PowiGaN氮化镓(GaN)技术。这款额定耐压1700V
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