a还提供支持开关电源电路设计的工具。除了可在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型外，现在还提供能够精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。用户可通过Toshiba网站上的在线电路仿真器，在网页浏览器中轻松验证电路工作情况，无需搭建仿真环境或下载器件模型。（在线电路仿真器：点击此处）

Toshiba将继续扩充其功率MOSFET产品线，以提升电源效率，从而有助于降低工业设备的能耗。

注：
[1] 截至2026年6月，基于Toshiba的低压功率MOSFET工艺。
[2] VGS =10V, ID =50A, Ta =25°C
[3] Toshiba调查，截至2026年6月。

应用

工业设备


用于人工智能数据中心和通信基站的开关模式电源


特性


低漏极-源极导通电阻：RDS(ON) =1.4mΩ (max) (VGS =10V, ID =50A, Ta =25°C)

低漏极-源极导通电阻 × 总栅极电荷： RDS(ON) ×Qg ＝1.4mΩ×80nC=112mΩnC （比TPM1R908QM的1.9 mΩ×10 nC=205.2 mΩnC低约45%）

采用SOP Advance(E)封装，具备低封装电阻和低热阻的特点。


主要规格





(除非另有说明， Ta =25°C)





器件编号



TPM1R408RH





绝对最大额定值



漏源电压 VDSS (V)



80





漏极电流 (DC) ID (A)



Tc =25°C



288






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