Toshiba推出采用最新一代工艺的80VN沟道功率MOSFET,旨在提升人工智能数据中心的能效
===2026/7/1 11:25:56===
沟道温度 Tch (°C)
175
电气特性
漏源导通电阻 RDS(ON) (mΩ)
VGS =10V
最大值
1.4
VGS =8V
最大值
1.7
总栅极电荷 Qg (nC)
VGS =10V
典型值
80
栅极开关电荷 Qsw (nC)
典型值
23
输出电荷 Qoss (nC)
典型值
161
反向恢复时间 trr (ns)
典型值
74
反向恢复电荷 Qrr (nC)
典型值
115
封装
名称
SOP Advance(E)
尺寸 (mm)
典型值
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