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Toshiba推出采用最新一代工艺的80VN沟道功率MOSFET,旨在提升人工智能数据中心的能效
===2026/7/1 11:25:56===
沟道温度 Tch (°C)



175





电气特性



漏源导通电阻 RDS(ON) (mΩ)



VGS =10V



最大值



1.4





VGS =8V



最大值



1.7





总栅极电荷 Qg (nC)



VGS =10V



典型值



80





栅极开关电荷 Qsw (nC)



典型值



23





输出电荷 Qoss (nC)



典型值



161





反向恢复时间 trr (ns)



典型值



74





反向恢复电荷 Qrr (nC)



典型值



115





封装



名称



SOP Advance(E)





尺寸 (mm)



典型值




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