Toshiba推出采用最新一代工艺的80VN沟道功率MOSFET，旨在提升人工智能数据中心的能效
===2026/7/1 11:25:56===
-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
Toshiba：80V N沟道功率MOSFET“TPM1R408RH”，采用Toshiba最新一代工艺U-MOS11-H制造。
=*=*=*=*=*=
当前为第5/5页
上一页-
=*=*=*=*=*=
返回新闻列表
返回网站首页
