发布时间：2026-07-03 17:19 计划在北上工厂的Fab2投产
东京--(美国商业资讯)--全球存储解决方案领导者Kioxia Corporation今日宣布，已开始出货采用其第十代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的1Tb（太比特）三层单元（TLC）存储器件样品1。这些产品将主要集成到该公司的企业级和数据中心固态硬盘（SSD）中，以增强Kioxia的产品阵容，满足人工智能存储对更高性能、更大容量和更低功耗日益增长的需求。这些新产品将利用位于日本岩手县的Kioxia北上工厂Fab2设施中的尖端设备进行生产。

通过利用自第八代BiCS FLASH™起便已采用的创新型CMOS直接键合到存储阵列（CBA）技术2以及同节距选择栅漏极（OPS）技术3，第十代技术实现了高达4.8 Gb/s的NAND接口速度4，较第八代提升了 33%。通过堆叠332层并提高横向密度，比特密度提高了59%。此外，写入和读取的能效分别提高了18%和30%5，有助于降低数据中心和企业级基础设施的功耗。

在其独特的双轴战略下，Kioxia正在同步推进两条不同的产品线：其一为第九代解决方案，旨在以相对较低的投资成本提供高性能；其二为第十代技术，通过利用先进的层堆叠技术来实现海量容量与卓越性能。

在“用‘记忆’提升世界”这一使命的引领下，Kioxia始终致力于推动技术创新、加强全球合作伙伴关系，并提供助力现代人工智能基础设施发展的先进存储解决方案。


这些样品仅用于功能测试目的，样品的具体规格可能会与最终的量产版本有所不同。

一种技术，其中每片CMOS晶圆和单元阵列晶圆均在各自最优的条件下分别制造，然后将它们键合在一起。

一种技术，通过去除未使用的存储孔来缩短位线并降低字线电容。

1Gb/s计算为1,000,000,000比特/秒。该数值是在Kioxia Corporation的特定测试环境下测得，实际数值可能会因使用条件而有所不同。

还考虑了数据传输过程中的能效。


注：


产品密度根据产品内存储芯片的密度来确定，而非最终用户可用于数据存储的实际存储容量。由于管理数据区、格式化、坏块及其他限制
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