DRAM内存企业长鑫存储今年将在去年大幅增产的基础上产能进一步同比增长近50%；而到今年末，长鑫的按比特出货量计市占将从一季度的6%提升到8%。在技术迭代方面，长鑫存储今年的产能将从DDR4/LPDDR4加速向DDR5/LPDDR5过渡，反映到出货量上就是DDR5/LPDDR5的市场份额将从一季度的1%左右分别提升到7%和9%。在技术创新方面，长江存储已成功实现294层3D NAND量产，并积极推进300层NAND开发，层数已逼近三星，其采用自研Xtacking4.0与先进CMOS Bonded Array（CBA）架构，同时导入PLC技术提升密度。长鑫存储则成功量产本土DDR5模组，规划2025年底至2026年间量产HBM3记忆体，正式跨足高频宽记忆体市场。长存长鑫是国内晶圆厂扩产计划中重要组成部分。国产存储产业链相关设备/零部件/材料/产业链合作公司包括：精智达，神工股份，深科技等。风险提示1）下游需求不及预期；2）国产大模型迭代不及预期；3）制裁加码；4）算力基础设施建设不及预期；5）国产算力技术迭代不及预期。




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