轻资产经营模式，市场占有率快速提升。存储芯片企业排队IPO不止紫光国芯，多家存储芯片企业也正推进上市计划。国内最大的DRAM企业长鑫科技于2025年12月30日披露科创板上市招股说明书，其IPO申请已进入“预先审阅”流程。该公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，根据Omdia，按照产能和出货量统计，其已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。同样在2025年12月，证监会官网披露，深圳三地一芯电子股份有限公司、深圳市时创意电子股份有限公司均在深圳证监局办理上市辅导备案登记。前者专注于NAND Flash存储控制芯片，后者产品及业务涵盖嵌入式存储、固态硬盘、内存模组及移动存储。还有存储厂商将目光瞄准了港股。1月5日，澜起科技在港交所更新聆讯后资料集，代表该公司港交所IPO通过聆讯。该公司是全球仅有的三家能量产服务器内存接口芯片的企业之一。根据弗若斯特沙利文的资料，按收入计算，该公司在2024年位居全球最大的内存互连芯片供应商，市场份额达36.8%。兆易创新（603986.SH）已于2025年12月31日至2026年1月8日启动招股。该公司是国内少数在NOR Flash、SLC NAND、利基型DRAM和MCU四大领域均跻身全球前十的Fabless设计公司。此外在2025年12月，浙江力积存储科技股份有限公司在港交所更新招股书。该公司专注于利基DRAM市场，根据弗若斯特沙利文的资料，按2024年利基DRAM收入计，力积存储在全球利基DRAM市场的中国内地公司中排名第四。国产存储突围战但一直以来，全球DRAM竞争格局颇为集中，主要被三星、SK海力士和美光三大国际巨头所垄断。国产DRAM厂商里，长鑫科技正逐步进入主要厂商阵营。根据Omdia，2024年三星电子、SK海力士、美光科技合计占全球DRAM市场90%以上的份额；若按25Q2的DRAM销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至3.97%。除了规模壁垒，在高端产品性能方面，国产存储与国际一线梯队也存在差距。如在DRAM领域，三星、SK海力士已大规模量产DDR5，并积极布局DDR6及更先进的制程工艺，甚至在HBM（高带宽内存）领域形成了暂时的垄断。相比之下，国产DRAM目前的主力产品仍集中在DDR4及LPDDR4X等成熟制程。而自2025年以来，存储市场出现结构性变革。这一变革不仅重塑了国际巨头的竞争版图，更
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