为蛰伏已久的国产存储厂商提供了历史性突围窗口。从传统市场来看，尽管智能手机与PC等传统市场需求受宏观经济影响增速有所放缓，但汽车电子、智能驾驶和物联网设备对存储芯片的需求正在快速增长，特别是车规级DRAM的需求明显提升。从新兴市场看，AI服务器对高带宽、大容量DRAM的需求迅速攀升，推动存储芯片向高性能、低功耗、低延迟方向迭代升级。这种需求的碎片化和差异化，打破了以往国际原厂凭借标准品规模通吃的局面，迫使市场更加细分。东方证券研究指出，目前国际领先DRAM企业已进入制程节点微缩瓶颈，新产品开发中面临的成本巨幅增长与物理极限的逼近问题导致工艺难度大幅提升。基于此，DRAM厂商正积极尝试4F2结构、CBA（CMOS directly Bondedo Array）等新技术解决方案。在新技术领域的研发上，国内厂商与国际前三家厂商均处于探索阶段，国内厂商有望通过产品与技术的革新逐步缩小与国际领先水平的差距，甚至实现部分技术与产品的弯道超车。
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