通过超细的tsv通道实现高速互联，最终达成极致带宽加超高能效比的双重优势。Hbm能够在极小的物理面上提供数倍，甚至是10倍于传统内存的带宽，同时因为数据传输距离极短，功耗也大幅降低，这对于电费高昂的数据中心来说意义重大，因此hbm完美契合了AI芯片对于高带宽低功耗小面积大容量的全部苛刻要求，已经成为了高端AI加速卡的标配，它的性能直接制约着AI算力集群的整体效率，理解了hbm的重要性，我们再来拆解一下它的产业链。Hbm的制造是一项极其复杂的系统工程，技术壁垒极高，需要全产业链协同突破，主要可以分为三大环节。第一个是上游材料与设备，材料端的核心需求集中在封装材料，hbm芯片更厚，发热更大，需要使用环氧塑封材料。此外电镀液光刻胶、特种气体等材料的纯度与性能要求均达到了行业顶级的标准。设备端关键的设备包括tsv刻蚀设备、薄膜沉积，还有电镀设备、化学机械抛光设备、混合建造设备，还有先进封测量测设备。总的来说hbm的兴起正在拉动一整套高端半导体材料和专用设备的需求，这是上游领域明确的增长主线。  第二个中游的制造与封装，这是hbm技术的核心体验区，也是资本和技术竞争最激烈的环节，包括了晶圆制造先进封装。第三，下游设计与运用，hbm最终是由存储原厂或芯片设计公司采购集成到高端的AI加速卡以及超级计算机高端的服务器中，服务于云服务商、AI公司和科研机构进行大模型训练，科学计算等顶级的算力任务。展望2026年，hbm产业将呈现以下几个关键态势，这也构成了我们分析其投资前景的核心逻辑。第一缺货，现在hbm的产能已经排到了2027年。第二技术迭代，以现在的科技发展来说，技术就是生产力，这个行业技术迭代是非常非常快的。第三个最重要一点就是国产化机遇。对于国产产业而言，hbm代表着一个历史性的机遇，虽然现在在存储晶圆制造的核心环节与国际水平还是有差距，但是在核心的链条上面我们已经看到了多点突破的曙光。首先材料环节在封装核心材料，比如环氧塑封材料及其关键的填料方面，国内已经实现了从0~1的突破，正在加速的验证和导入。其次是设备环节在tsv刻蚀薄膜沉积抛光等关键设备领域，国内龙头企业正在紧追国际先进水平，部分设备已经进入到了客户验证和量产线，国产替代的空间是巨大的。最后就是封装测试环节，国内领先的封测厂商正在全力攻关tsv军研局封测，还有2.5d3D集成等先进的技术，这是国内产业切入hbm价值
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