存储芯片，强势反弹！3月10日，在韩国证券市场上，存储芯片巨头SK海力士、三星电子的股价双双大涨。盘中，SK海力士涨幅一度超过13%，三星电子涨幅一度超过10%。当天，A股存储芯片概念股也集体拉升，板块指数涨幅超过2%。截至中午收盘，联瑞新材涨超17%，铂科新材、科翔股份涨超10%。从消息面来看，全球存储芯片产业链传出多则利好消息：一是，SK海力士和三星电子被选为英伟达Rubin HBM4供应商，预计本月开始出货；二是，SK海力士今日表示，已开发出一种先进的LPDDR6动态随机存取存储器（DRAM）产品，专为具有人工智能（AI）功能的移动设备而定制；三是，本周一，英伟达CEO黄仁勋喊话DRAM厂尽管扩产，称“有多少就买多少”。存储芯片概念股大涨在经历了多日的震荡后，全球存储芯片概念股强势归来。今日盘中，SK海力士一度涨超过13%，三星电子一度涨超10%。隔夜，美股市场上，存储概念股也集体大涨，闪迪涨超11%，西部数据涨近7%，美光科技涨超5%。A股存储芯片板块今日也大幅走高，截至中午收盘，板块指数涨幅超过2%，联瑞新材涨17.65%，铂科新材涨超14%，科翔股份涨超10%，炬光科技涨超9%，壹石通涨超8%，伟测科技、天马新材涨超7%，太极实业、南亚新材、珂玛科技等纷纷走强。分析人士指出，国际油价的回调，缓解了市场对通胀的担忧，这有利于成长股的行情演绎。此外，存储芯片行业传出多则利好消息，对板块的情绪提振较大。据韩国媒体报道，三星电子与SK海力士双双入围英伟达新一代AI加速器Vera Rubin的供应商名单。由于HBM4从DRAM晶圆到最终封装需要六个多月，两家公司预计最快本月启动生产。报道称，尽管Vera Rubin所用HBM4的分配量和定价尚未确定，但消息人士预计，包括HBM3E在内，SK海力士将在2026年NVIDIA的HBM总供应中占据过半份额，而三星电子则将主导Vera Rubin专用HBM4的供应。根据TrendForce预测，SK海力士仍将引领全球HBM比特产量，份额为50%（低于2025年的59%），而三星电子的份额则从20%攀升至28%。值得关注的是，报道称英伟达要求Vera Rubin所用HBM4的数据传输速率超过10Gb/s，远高于JEDEC行业标准设定的8Gb/s标准。据报道，三
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