星电子已有效通过英伟达在10Gb/s和11Gb/s两个级别进行的HBM4认证测试，而SK海力士仍在优化其产品以通过11Gb/s速率测试。另外，本周二，SK海力士表示，公司已开发出一种先进的LPDDR6动态随机存取存储器（DRAM）产品，专为具有人工智能（AI）功能的移动设备而定制。SK海力士表示，基于第六代10纳米工艺技术的16Gb LPDDR6 DRAM在2026年1月的CES 2026上展出后，已完成验证过程。这家芯片制造商在一份声明中表示：“SK海力士计划在今年上半年完成量产准备工作，并在下半年开始供应产品，从而扩大我们针对人工智能应用优化的传统DRAM产品线。”SK海力士称，这款新产品将应用于配备终端AI功能的智能手机和平板电脑等移动设备。该公司表示，与上一代产品相比，新产品的数据处理速度提升了33%。此外，新产品还将帮助消费者享受更长的电池续航时间和更优化的多任务处理性能。产业链涨价传闻不断据环球网援引韩国媒体Sedaily报道，近期，全球NAND闪存市场迎来持续涨价潮，市场份额位居首位的三星电子宣布计划在2025年第二季度再次上调核心NAND产品供应价格，上调幅度预计与今年第一季度持平。据了解，三星电子已在今年第一季度将NAND闪存产品价格较上一季度上调约100%。若第二季度延续相同涨幅，其NAND产品价格较去年年底将累计上涨约200%。业内人士表示，尽管不同客户的最终成交价格或存在小幅差异，但三星此次确定的整体涨价幅度基本不会出现明显变动。不仅是三星电子，整个NAND闪存行业的涨价预期正持续升温。有半导体行业高层人士透露，当前存储芯片制造商的议价能力达到历史高位，下游需求方企业大多只能被动接受报价，SK海力士、铠侠等头部厂商也在筹备进一步上调NAND产品价格。市场数据也印证了这一趋势，TrendForce数据显示，上月NAND通用产品128Gb MLC闪存颗粒平均固定交易价格涨至12.67美元，环比上涨33.9%，同比涨幅更是高达452.3%。此次NAND闪存价格持续走高，背后是多重市场因素的共同推动。一方面，人工智能产业发展进入关键阶段，AI技术从数据训练阶段逐步向推理阶段演进，对大规模数据存储的需求与日俱增，NAND存储的产业价值进一步凸显。同时，各大科技企业纷纷加大对AI数据中心的投资布局，直接带动存储设备需求快速攀升，成为推高NAND闪存价格的
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