至992GW(高值预测)，比2024年分别增加48.8%和163.1%。全球核电行业正迎来新一轮发展机遇期。在能源安全、低碳转型和AI算力需求等多重因素驱动下，核电作为稳定、高效的清洁基荷电源，其战略价值被重新评估。

  公司方面，融发核电具有四代高温汽冷堆/蒸汽发生器锻件材料制造技术、四代快堆蒸发器管板锻件材料制造技术，在四代核电产业等前沿技术上已有技术储备和战略布局。百利电气控股子公司苏州贯龙电磁线有限公司新一代核耐高温电磁线已完成研发并交付客户，控股子公司辽宁荣信兴业电力技术有限公司参与国际热核聚变实验堆ITER项目无功补偿及滤波设备设计制造。

  三星电子计划第三季度量产SiC功率半导体样品

  三星电子计划于今年第三季度量产SiC(碳化硅)功率半导体样品，该公司近期已订购原材料和组件。据悉，三星电子将量产的首款样品是一款平面SiCMOSFET。MOSFET是一种用于开关和放大电子信号的晶体管。

  碳化硅(SiC)器件具备耐高压、低损耗和高频三大优势，可以满足高温、高压、大功率等条件下的应用需求。当前功率碳化硅器件仍主要应用于新能源市场，包括新能源车、光伏及储能逆变器以及充电桩、风电等高压渗透率较高的领域。五矿证券认为，需求端的全面爆发推动行业规模快速扩张，预计2027年碳化硅衬底供需紧平衡，甚至存在出现产能供应紧张的可能性；2030年，全球1676万片的衬底需求量，较2025年的供给，存在约1200万片的产能缺口。

  上市公司中，天岳先进在8英寸衬底上进行了前瞻性布局，已经具备先发优势和领先地位。公司不仅实现8英寸碳化硅衬底国产化替代，公司8英寸碳化硅衬底已经率先实现海外客户批量销售。根据权威行业调研机构日本富士经济报告测算，2024年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率，天岳先进稳居全球前三。中瓷电子是拥有氮化镓通信基站射频芯片与器件、碳化硅功率模块及其应用、电子陶瓷等核心业务能力的高科技企业，碳化硅业务实现8英寸工艺升级，未来将切入更高压等级应用。
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