新的“摩尔定律”载体。以台积电的CoWoS为例，每一代都集成更多GPU、更大HBM（高带宽内存）、更强互连。目前，包括英伟达、AMD在内的AI芯片巨头，均已通过先进封装技术实现AI芯片算力的跨等级提升。在今年SEMICON论坛上，武汉新芯集成电路股份有限公司代工业务处市场总监郭晓超谈及产业最新趋势。他指出，先进封装市场特别是2.5D/3D领域正快速扩张，行业主流方案已从CoWoS-S向CoWoS-L、SoW及3.5D XDSiP演进，集成规模不断扩大，混合键合是实现高密度互连的关键，也是提升算力的核心技术，其中不仅需要工艺突破，更需要设计方法论、材料、设备共同合作。在国产设备层面，北方华创近日发布12英寸芯片对晶圆（D2W）混合键合设备。据悉，该设备聚焦SoC、HBM、Chiplet等3D集成全领域应用对芯片互连的极限要求，突破微米级超薄芯片无损拾取、纳米级超高精度对准和无空洞高质量稳定键合等关键工艺挑战，实现了芯片纳米级对准精度与高速键合产能的更优平衡，成为国内率先完成D2W混合键合设备客户端工艺验证的厂商。拓荆科技亦在SEMICON论坛上推出3D IC系列，涵盖熔融键合、激光剥离等多款新产品，重点聚焦Chiplet异构集成、三维堆叠及HBM相关应用。近年来，混合键合设备已成为半导体装备中增速最快的细分领域。市场咨询公司Yole预测，至2030年，其全球市场规模将突破17亿美元，其中D2W混合键合设备的年复合增长率预计高达21%。不过，大型半导体设备厂相关负责人也指出，混合键合设备市场增速迅猛，但也面临对准精度、洁净环境、翘曲包容等挑战。同时，混合键合不同应用场景对界面材料的选择存在差异，SiCN（非晶态材料）等介电材料与铜的组合各有优劣，表面形貌、颗粒控制与晶圆翘曲直接影响键合良率。三维集成依赖于产业界的通力合作。超节点技术体系白皮书发布AI算力扩容的另一条突围路径是超节点系统集成，通过高速互连技术，将计算单元从单节点、机柜级超节点（上百AI芯片）扩展至集群级超节点（千万AI芯片）。超节点与先进封装的结合，诞生由大量AI芯片、HBM、高速互连网络和液冷散热系统构成的“超级计算机”。国内大厂在超节点领域亦有创新和落地。3月26日，中科曙光在中关村论坛年会上推出世界首个无线缆箱式超节点scaleX40。据介绍，传统超节点依赖光纤、铜缆互连，普遍存在部署周期长、运维复
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