DRAM，以及基于同一工艺并于本月开始量产的192GB SOCAMM2的供应。TrendForce数据显示，SK海力士2025年占据全球HBM市场59%的份额，2026年预计仍将维持50%以上的领先优势。而在利润最丰厚的HBM4赛道，Counterpoint Research预测2026年市占率将达54%。更最关键的筹码在于，SK海力士已经锁定英伟达下一代Vera Rubin平台三分之二以上的HBM4订单，部分机构甚至预测占比有望突破70%。大手笔布局芯片先进封装当就在财报发布前一天，SK海力士在在韩国忠清北道清州市举行了先进封装设施P&T7的奠基仪式。这标志着SK海力士在AI存储器制造领域迈出了关键且坚实的一步。P&T7堪称一座巨无霸工厂，总投资高达19万亿韩元（约合129亿美元），占地面积达23万平方米。如此大规模的投资与占地，更是显示了SK海力士在该项目上的决心与魄力。工厂将专注于制造HBM等AI存储器产品，来满足日益增长的市场需求。值得一提的是，这笔投资并不是孤立事件，而是SK海力士系统性扩张战略的缩影。就在去年，SK海力士资本支出约29万亿韩元，而2026年预计将同比增长约24%，远超三星同期约3.7%的资本开支增速。公司也正将清州M15X晶圆厂约50%的产能转向HBM生产，并规划进一步扩建M15Y和龙仁园区，目标剑指2027年底DRAM总产能爬升至每月约70万片。其中，HBM占比将从当前的个位数大幅跃升至20%以上。SK海力士表示，将以韩国清州M15X产能爬坡和龙仁集群为核心，推进基础设施建设及EUV等核心设备引进，为此今年的投资规模将同比大幅增加。公司将战略性地扩充生产基础，以先发应对中长期需求增长。也将通过基于需求可见性的投资，同时确保供应稳定性和财务稳健性。



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