4月24日，由产业技术创新战略联盟编写的《产业发展报告(2025)》(简称《报告》)在2026九峰山论坛开幕式上发布。“AI浪潮推动全球产业强劲发展，宽禁带为代表的化合物成为领域高端产业链话语权争夺的焦点。”技术产业创新战略联盟理事长吴玲接受证券时报记者采访时表示，我国在光电子、射频电子和功率电子领域建立了较为完整的研发和产业体系，正处于从“技术突破”向“产业领先”加速迈进的关键阶段。从技术追赶到局部领先《报告》指出，2025年全球产业势头强劲，叠加、光伏等下游领域需求放量，我国产业持续高速增长。功率电子领域市场规模约227亿元，同比增长28.6%，其中及交通市场突破148亿元，市场接近32亿元，电信及基础设施成为增速最快领域。GaN射频器件市场119亿元，同比增长9.2%；光电方面，车用领域保持增长，GaN基激光器市场规模达70亿元。“从供给端来看，国内功率电子、射频电子、产值分别为231亿元、47亿元、1037亿元。”《报告》显示，国内碳化硅(SiC)衬底、外延及晶圆(折合6英寸)产能分别为420万片、230万片、190万片，产量分别为205万片、93万片、85万片，产能利用率较上年有所提升。GaN功率电子的外延及晶圆(折合6英寸)产能分别为96万片和74万片，产量分别为63万片和43万片，较上年实现较大增长。射频电子外延及晶圆(折合6英寸)产能分别为17万片和15万片，国产化率进一步提升。产业格局上，我国企业全球市占率显著提升。根据《报告》提供的数据，、等跻身SiC衬底全球前三，、等进入SiC外延全球前二，SiC材料整体供给占全球一半，GaN功率器件全球市占率继续保持第一。技术方面，SiC8英寸衬底实现规模化供货，12英寸外延全球首发，GaN相关技术取得突破；超宽禁带多项技术实现国际首发。展望2026年，《报告》预计，经历了行业的规模化增量，功率及射频电子产值增速有望达到15%以上。“对效率、信息速度和极端环境适应能力的需求，是新材料、新器件技术不断创新发展的核心驱动力。”吴玲认为，我国已实现从技术追赶到局部领先的跃升，未来5到10年有望实现全球引领，形成领域的优势长板，抢占国际科技与产业竞争的战略主动权。进入生态重构深水区不过，多位与会专家同时提醒，国内产业在高端衬底、核心设备等关键环节仍然存在短板，从研发、中试到规模化量产的衔接不够顺畅，产业整体处在由技术
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