咨询数据显示，2026年第一季度，消费电子存储涨幅远超市场预期，较2025年第四季度环比涨幅超60%，NAND闪存环比涨幅更是突破70%，创下近年来单季最高涨幅纪录。尽管清明假期前，DDR4和DDR5内存条现货价格出现短期下调，引发部分回调担忧，不过市场普遍认为，渠道市场的短期波动尚不改变当前存储芯片持续紧缺和价格上行的宏观趋势。进入二季度，存储价格仍在继续上行。TrendForce集邦咨询预计，一般型DRAM二季度合约价将环比上涨58%～63%，NAND Flash合约价将环比上涨70%～75%。群智咨询也表示，2026年第二季度，NAND闪存价格将延续一季度的上涨态势，涨势强劲且供给缺口显著，其中手机应用端NAND价格环比上涨约100%，消费级SSD价格环比上涨约66%。DRAM价格则延续上涨但分化明显，以LPDDR4X/LPDDR5X为主的消费电子DRAM合约价延续强劲的上涨趋势，其中手机应用端DRAM合约价环比上涨约90%，而DDR4合约价涨幅较一季度趋缓至约50%。中长期来看，不少行业人士预测，此轮“供不应求”的行业格局或至少持续至2027年。中信证券最新研报指出，当前存储原厂扩产面临主客观双重约束，2026年有效产能释放受限，预计新产能实质释放需待2027年底至2028年，且过程中供给增速上修空间有限。AI驱动的需求爆发与原厂扩产错位致使缺货常态化，预计供不应求至少持续至2027年，涨价贯穿2026年全年。工银瑞信基金也表示，一方面，随着AI从训练向推理阶段演进，存储芯片已成为AI基础设施的核心组件；另一方面，客户结构中AI领域的增长，正在改变存储芯片的定价逻辑，存储价格在高位持续的时间可能超出传统周期。在AI数据中心持续而强劲的行业需求叠加供给约束下，存储周期有望延续至2027年。“当前存储超级周期下，两点已经确定：一是深度绑定AI存储、尤其是HBM赛道的企业，业绩弹性显著领先；二是短缺至少将持续到明年中，产能释放远水不解近渴。”前述私募基金经理对记者表示，“但最大的不确定性在于，谷歌等云端厂商的内存压缩技术是否会大幅改变需求预期。”
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