半导体板块全线飙涨！今日早间，日韩半导体巨头全线暴涨，SK海力士一度暴涨超12%，三星电子一度大涨超7%，日本存储巨头铠侠控股一度大涨超11%，均创出历史新高。受此推动，日韩股指大幅走强，韩国KOSPI指数一度大涨超5%，韩国交易所因KOSPI 200期货上涨5%而启动KOSPI的熔断机制，程序化交易一度暂停5分钟。高盛在最新发布的一份研报中称，给予韩国股市“超配”评级，将韩国KOSPI指数的12个月目标点位从8000点上调至9000点。与此同时，A股、港股半导体板块亦全集体大涨，截至11:00，A股芯片指数大涨超3%，澜起科技大涨超19%，长川科技大涨超17%，江波龙大涨超14%。Wind香港半导体指数大涨超8%，骏码半导体暴涨超20%，天岳先进大涨超18%，纳芯微大涨超15%，兆易创新大涨超11%。目前来看，中东局势仍存在较大的变数。据新华社最新消息，伊朗已拒绝美国提出的方案，认为同意该方案将意味着伊朗屈从于美国总统特朗普的过分要求。开盘暴涨北京时间5月11日早间，韩国股市开盘后，存储芯片巨头SK海力士、三星电子股价大幅飙涨，截至8:20，涨幅分别为10.08%、6.5%，均创出历史新高；受此推动，韩国KOSPI指数大涨4.26%，续创历史新高。日本股市亦集体走强，日经225指数涨1.02%，日本存储巨头铠侠控股股价大涨超11%。美东时间上周五，美股芯片板块上演史诗级暴涨，费城半导体指数大涨超5%，年内累计涨幅扩大至66.25%。其中，美光科技大涨超15%，英特尔大涨超13%，AMD大涨超11%，高通涨超8%，迈威尔科技、应用材料涨超6%，阿斯麦ADR涨超4%。存储板块亦大幅飙涨，闪迪暴涨超16%，西部数据涨超3%，希捷科技涨超2%。有分析人士指出，本轮存储芯片股飙升的核心动力是供需严重失衡。自2月底中东冲突爆发以来，DRAM和NAND闪存芯片的现货价格已分别上涨约25%、18%。导致供应紧张的原因包括：韩国厂商占全球存储芯片供应量的60%以上，中东冲突导致的海运受阻和保险成本上升已影响出货；AI服务器对高带宽内存（HBM）的需求正在消耗大量产能，挤压了传统PC和智能手机的内存供应；主要厂商在过去两年中削减了资本支出，导致当前产能无法快速响应需求增长。对于存储芯片价格涨势，高盛近日将2026年DRAM价格涨幅预测从约150%大幅
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