发布研报称，存储行业进入由AI驱动的结构性超级，26Q1全球存储公司业绩齐，供需紧缺有望延续至2027年甚至更久。价格方面，近期现货价短期扰动不改合约价上行趋势，并不代表存储价格逆转。随着存储厂商逐步签订多年期战略协议，其业绩能见度将显著提升，同时存储产品加速从标准化转向定制化，行业商品化属性与波动有望进一步减弱，建议关注海外存储/国内模组/利基存储和上游设备/材料等产业链公司。主要观点如下：需求端AI推理驱动存储全栈式需求结构性激增，定制化趋势或削弱行业属性。AI沿“推理→Agentic AI→Physical AI”三阶段演进，叠加2026年全球九大合计资本开支预计达约8300亿美元(同比+79%)，共同驱动HBM/Server DRAM/eSSD/HDD全栈需求增长;其中AI推理成为核心驱动，2025-2031年数据中心AI推理NAND位元需求CAGR高达56%。同时，HBM4起base die改用逻辑工艺、CXL/SOCAMM/3DDRAM/HBF等新架构持续涌现，存储产品加速从标准化转向定制化，行业壁垒持续提升，存储商品化属性与波动有望减弱。供给端26年原厂资本开支大幅增长，HBM挤占下DRAM/NAND实际新增有效供给非常有限。据SemiAnalysis，2026年DRAM供应低于需求约7%，HBM缺口6%、2027年扩大至9%;据宇瞻预计，2026年DRAM缺口8%、NAND缺口约5%。2026年三大原厂资本开支虽同比大幅增长，但新增晶圆产能高度集中且主要分配给HBM，几乎全部集中于三星P4、海力士M15X、美光A3，其中M15X与A3均主要用于HBM生产;NAND几乎无实际晶圆增量、位元增长主要依靠技术升级，叠加铠侠宣布2028年停产2DNAND进一步收紧供给;其余扩产项目(海力士龙仁、美光铜锣/爱达荷)实质性产出贡献要等到2027H2之后，整体新增有效供给非常有限。库存端原厂与利基厂库存持续去化、DOI下行，模组厂主动加码备货以锁定供应能力。原厂三星、海力士、美光、南亚科26Q1库存维持低位，美光DRAM库存周转天数已降至120天以下的紧张水平;为支持新签NBM协议主动备货、库存环比+14%，DOI环比大幅下降。台厂模组厂(群联、威刚、十铨等)加速备货并签订LTA锁单，利基型厂商(华邦、旺宏、晶豪科)DOI环比下降;大陆、、佰维三家模组厂26Q1合
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