6年将增长至392亿美元。而由于欧洲特别是荷兰对中国的半导体设备出口规模持续下降，我国半导体设备供应商开始逐渐崛起，尝试补齐短板。4月，国际半导体产业协会（SEMI）发布报告称，2026年一季度，全球半导体设备销售额达280亿美元，其中中国内地采购额占比升至35%，创历史新高。从需求端来看，SEMI数据显示2026年一季度中国内地半导体设备采购额约98亿美元，同比增长25%，主要来自中芯国际、华虹半导体、长鑫存储等晶圆厂的扩产需求。其中，刻蚀、薄膜沉积、清洗设备占比最高。从设备结构看，成熟制程光刻机（主要包括KrF、i-line及部分ArF设备）需求稳定，尤其在功率半导体、模拟芯片、车规芯片、CIS、MEMS和化合物半导体等领域维持较长生命周期。渐进式获得市场份额从市场结构来看，全球光刻机高端市场被ASML垄断，EUV、DUV光源难以突破。但是，全球成熟制程光刻机行业亦有尼康、佳能占据中低端市场，中国成熟制程半导体设备占比尚无法与以上日本厂商相提并论，市场突围仍是一大可行方向。据悉，上海微电子主推产品为90nm成熟制程光刻机，如SSX/SSA600系列步进扫描投影光刻机。截至2025年，其SSX600系列步进扫描投影光刻机（支持90nm及以下制程）出货量占国内光刻机市场份额超过80%。但与此同时，上海微电子的绝对销售额相比美日企业仍有差距。中信证券援引SEMI数据指出，2024年国内光刻机市场规模超400亿元，但国产化率仅约2.5%。不论是成熟制程还是高端制程，市场占有率均有很大提升空间。从技术演进来看，光刻机的发展始终伴随着关键的光源突破，其最早采用248nm（KrF）和193nm（ArF）等深紫外（DUV）光源，随后逐步推进至当前最先进的13.5nm极紫外（EUV）光源。每一次光源波长的缩短，都显著提升了光刻机的分辨率与精度，推动工艺节点从微米级迈入纳米级。而浸没式光刻技术的引入成为重要转折，其通过在透镜与晶圆之间注入液体，将193nm光刻的数值孔径从0.93提高至1.35，使ArF光刻得以延伸至7nm节点。这一突破也让ASML在与尼康的竞争中取得关键优势。而随后的EUV光刻技术的商业化，则标志着ASML奠定了全球顶尖光刻机厂商的地位。从技术演变的角度来看，成熟制程“农村包围城市”的战略，或许已经成为半导体设备行业演进的底层逻辑，这一路径本就难以绕开。资本市场对
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