构较为分散，不存在单一持股比例超过50%的股东。直接持有公司5%以上股份的股东为清辉集电、长鑫集成、大基金二期、合肥集鑫和安徽省投，截至招股书签署日，分别为21.67%、11.71%、8.73%、8.37%和7.91%。景气周期延续 产业链多环节受益产业作为现代信息技术和的基石，在全球科技进步和经济发展中扮演着至关重要的角色。作为集成电路的关键分支，是实现数据存取与读写功能的电子器件。近年来，AI、HPC等新兴技术场景持续涌现，数据总量呈现爆发式增长，广泛的数据读写与传输需求驱动全球DRAM市场规模快速扩大。与此同时，本土终端厂商的崛起及其对于产业链生态建设的需求，为国产DRAM厂商带来了巨大机遇，存储行业高景气度有望延续。当前，受供需错配影响，DRAM与NAND合约价格环比大幅上行，原厂议价能力显著提升，紧缺涨价格局仍具备较强延续性。CFM闪存市场数据显示，2026年一季度全球DRAM/NAND Flash市场规模达1371.4亿美元，环比增长81.6%，同比增长245%。值得注意的是，国内存储原厂进入上行或将带动国内制造资本开支增长，利好上游材料、设备等供应链各环节。招股书显示，长鑫科技生产经营使用的主要原材料包括化学品、光阻剂、硅片、气体、靶材、备件及其他等。据公开资料，在此类领域，已有多家A股上市公司充分布局。靶材方面，超高纯钨靶主要应用在IC集成电路中，其纯度达到5N以上（99.999%），关键特定有害杂质（如Na/K等）需控制在千万分之一以下水平。近年来，公司生产的超高纯钨靶已在多家国际知名制造商实现批量应用。硅材料方面，的大直径硅材料产品及其制成品硅零部件，是高端制造所需等离子刻蚀环节中的核心耗材。目前，公司已进入国内主流制造厂及等离子刻蚀设备制造厂的供应链。化学品方面，的通用湿及功能湿，主要应用于集成电路领域电子元器件湿法工艺制程的蚀刻、清洗等工艺环节。公司已通过、长江存储、长鑫存储、华虹集团、、SK海力士等知名集成电路厂商多种产品认证。设备方面，面向存储器件制造工艺，的产品可覆盖绝大部分刻蚀应用。公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺，实现大规模量产。平台型设备商的刻蚀、CVD、PVD、热处理、湿法清洗、电镀等设备，也成功适配3D NAND与HBM制造
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