分别同比增长719.13%、1,268.45%。经营业绩“起飞”的背后，是盈利能力和生产能力的支撑。长鑫科技凭借2025年40.99%的综合毛利率，超过三星电子、等业内前辈，成功跻身第一梯队。目前，长鑫科技在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。根据Omdia的数据，按照产能、出货量和销售额统计，公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。报告期内，长鑫科技产能均来自12英寸晶圆制造生产线，整体产能和产量快速增长，产能利用率稳步提升，各期产能利用率分别为87.06%、92.46%和95.73%。报告期内，公司主要DRAM产品的产量和销量实现快速增长，按容量口径统计的产销率分别为99.45%、97.94%和90.67%。自此，随着工艺平台的成熟和规模效应的显现，长鑫科技已跨越了“高成本、低良率”的死亡之谷，进入了“高毛利、高增长”的黄金发展期。募资聚焦主业，持续创造价值长鑫科技科创板IPO已进入提交注册阶段，本次发行由头部券商中国国际金融股份有限公司与股份有限公司“双巨头”联合保荐。本次发行计划显示，长鑫科技拟公开发行不超过1,062,225.9999万股(行使超额配售选择权之前)，占发行后总股本比例不低于10%。公司和主承销商可以采用超额配售选择权，超额配售数量不超过本次发行股票数量的15%。募集资金运用是本次IPO的核心看点。长鑫科技拟募资295亿元，投向三大项目。其中，“存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目”拟投入75亿元对子公司进行技术改造，逐步实现向中高端产品生产线工艺技术的切换，包括刻蚀、薄膜沉积、清洗等工艺步骤的技术改造升级，完成工艺产品线的改造升级。“DRAM存储器技术升级项目”拟投入130亿元，拟在DRAM存储器示范线项目上进行技术改造，包括刻蚀、薄膜沉积、清洗等工艺步骤的技术改造升级，核心升级内容包括工艺提升、产品迭代等。将子公司工艺平台提升至更新一代。“动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目”拟投入90亿元，聚焦适配于未来先进DRAM所需要的前瞻技术研究。将以市场和客户需求趋势为基础，基于DRAM未来前沿技术发展方向，对适配DRAM的前瞻技术开展研发工作。长鑫科技本次IPO，有利于公司产能建设和升级，增强公司市场竞争力和盈利能力以及研发创新能力，加快技术迭代和产品布局。上市后将更好地推进公司市场拓展并推动产业发展，进一步完善公司治理并
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