发布研报称，玻璃基板凭借可调CTE、低介电损耗及高平整度等优势，正成为下一代的核心技术方向，2026年商业化元年开启后有望迎来从0到1的产业窗口期。产业链上游：原片环节技术壁垒高、价值量大，且与药用硼硅玻璃底层共通，国产替代空间最为明确。主要观点如下：后摩尔时代，成为突破AI芯片性能瓶颈的关键路径，而玻璃基板凭借其独特物性成为下一代封装的核心方向摩尔定律正逼近物理与经济双重天花板，单纯依靠制程升级已难以满足AI芯片对高带宽、低时延和低功耗的指数级需求。当前主流的CoWoS封装虽广泛应用于AI/HPC芯片，但其硅中介层成本高昂，单片超100美元，占封装成本一半以上;同时受圆形晶圆与方形芯片的结构性矛盾影响，面积利用率持续下降，热应力翘曲问题对良率形成挑战。技术正呈现两大核心演进趋势：从晶圆级向面板级升级、从有机材料向无机材料迭代。面板级封装在超大尺寸场景下面积利用率可从45%提升至81%，成本下降10%-20%。玻璃基板凭借可调CTE、纳米级表面平整度、低介电损耗等优势，能够从根源上缓解大尺寸封装中的翘曲问题，并支持2μm以下高密度布线，成为下一代芯片基板的核心方向。全球龙头厂商正加速玻璃基板产业化布局，2026年有望成为商业化元年，2028年前后进入快速渗透期于2025年正式将部分CoWoS升级为CoPoS，通过从圆形晶圆向方形面板切换，首条试验产线预计于2026年启动，目标2028年底至2029年上半年规模化量产，等列为首批战略合作伙伴。Intel于2023年发布Glass-Core方案，以玻璃替代ABF有机载板，2026年首次展示E+玻璃芯基板样品，实现无微裂纹超低翘曲及45μm超细间距凸点。2026年有望成为玻璃基板商业化元年，Intel已展示实物样品，C推进CoPoS试验线，三星电机计划2027年量产，预计2028年前后行业进入规模化渗透阶段。玻璃基板的应用场景正拓展至CPO光电共封装及6G射频无源集成领域，国内产业化已取得实质突破玻璃基板凭借低介电损耗、高平整度及光学透明性，成为光电一体化集成的理想衬底。于2021年提出基于玻璃的光电共封装方案，在同一基板上集成低损耗光波导与TGV电互连结构。在6G射频与集成无源器件领域，玻璃基板30GHz下损耗角正切低于0.001，显著降低插入损耗。国内上海芯波与云天联合推进的3DGlass IPD项目累计交付已突破10
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