约100%上调至200%—250%。也就是说，认为这不是普通库存修复，而是AI算力驱动的史无前例需求激增、制造与封装工艺极度复杂的HBM愈发挤占产能、通用DRAM/NAND供给弹性不足共同造成的“超级供给紧缺”。这种存储供需历史级别错配的核心逻辑来自存储产能被AI数据中心与高带宽内存(HBM)需求高度占用。TrendForce的分析报告指出，全球约70%的先进存储产能正被AI数据中心服务器吸纳，这些制造与封测技术复杂得多，导致用于智能手机等级内存资源严重不足。由于制造的产能扩张长达2-3年之久，现有产能增长远远无法满足需求，从而加剧供不应求态势并预计持续至2027–2028年才可能有所缓解。 TrendForce汇编的监测数据显示，LPDDR5X等内存价格同比涨幅可能累计超过两倍，使内存成本在智能手机物料成本中占比从10–15%大幅提升至约30–40%。因此从产业链和市场趋势看，即使AI基建推动、光互连以及数据中心CPU等上游AI算力链需求强劲延展、形成所谓“爆发式增长”，这一现象在这一经典下游却不是普惠性质的增长机遇，而是出现“上游红利+下游痛点”分化的局面。对于产业而言，这个存储超级背后伴随的是严重的供应偏向、价格压力和需求萎缩共同构成的景气度困局，而不是传统意义上量价齐升的回暖。整个行业正在经历一种存储资源重定向和结构性错配，这对智能手机等类产品的销量与利润都带来明显压制。
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