全球碳化硅（核心股）（SiC）市场的风向正在发生剧烈转变。近日，半导体（核心股）巨头安森美（Onsemi）宣布其位于捷克罗兹诺夫的厂区将裁减200至300名员工，主要波及核心的碳化硅晶圆制造部门。这也是继2025年裁员170人后，该厂区再度面临组织调整。这场裁员风暴的背后，折射出西方半导体（核心股）厂商在面对中国本土供应链强势崛起时的阵痛。随着中国SiC厂商的崛起和成本的优势，将一片碳化硅（核心股）晶圆的生产成本压低至西方同行的三分之一，强烈的价格重塑正迫使安森美等国际巨头不得不重新审视其从晶圆到芯片的垂直一体化战略。然而，在技术路线上，2026年，SiC

MOSFET的竞争并没有简单走向沟槽全面取代平面。但却进入了一个更复杂的路线分化期：一边，三菱电机、博世、东芝、罗姆、英飞凌等厂商继续深挖沟槽结构，试图通过更高晶胞密度、更低导通电阻和更强功率密度，打开下一代主驱逆变器和eAxle的性能上限；另一边，意法半导体（核心股）、Wolfspeed、安森美并没有急于切换到沟槽，而是继续压榨平面架构的工程潜力，用成熟工艺、车规验证经验、制造良率和供应链规模，守住大规模商业化的底线。这并不是一场先进路线对落后路线的简单替代，而是藏着半导体（核心股）工业在极致性能与商业良率之间的终极思辨。这些厂商，都已经把SiC沟槽挖出来了说到沟槽SiC，首先需要厘清，全球半导体（核心股）巨头为何执着于在芯片上挖坑？简单地来说，平面型SiC的导通电阻（Rds(on)）已经逼近了其物理极限，尤其是夹在基区之间的JFET电阻，成为了无法逾越的屏障。为了进一步压低成本、提升功率密度，行业不少厂商集体迈向向下挖槽的沟槽时代。沟槽结构通过将栅极垂直埋入芯片内部，彻底消除了JFET电阻，并在同等面积下实现了更高的晶胞密度。仔细拆解今年各大厂的最新动作，你会发现，哪怕同样是挖坑，各家的凿子和目的也完全不同。而随着沟槽SiC的加速出货，这场竞争正在明显加速。今年6月下旬，日本功率器件老厂三菱电机继续推进沟槽代际升级，将正式按顺序交付其新型第五代SiC

MOSFET裸芯片样品。这些裸芯片专为电动汽车（xEV）主驱逆变器和高度集成的电驱动桥（e-Axle）而设计。三菱电机专有的沟槽结构，在额定电压和阈值电压相同的情况下，成功将导通电阻比其现有的第四代沟槽产品再降低约25%。（左
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