）带有沟槽的SiC-MOSFET晶圆（效果图）（右图）沟槽式SiC-MOSFET裸芯片布局（出货样品渲染图）作为汽车零部件（核心股）巨头，博世（Bosch）最新推出的第三代（Gen
3）SiC
MOSFET平台，直指牵引逆变器在高压环境下的效率与散热痛点。它沿用了垂直沟槽架构，但演进出双通道（Dual-channel）概念。所谓双通道，即利用每个栅极沟槽的两侧侧壁同时作为导电通道。在不增加额外晶圆面积的前提下，这种设计让导电面积直接翻倍，使沟道电阻降低近一半。据悉，博世将芯片厚度减少了40%，达到100微米的目标值，这为其带来了极其优异的基体电阻表现和散热性能。博世第三代SiC MOSFET的架构改进（来源：博世）值得注意的是，沟槽技术的这把火，在 2026 年已经不仅局限于汽车动力总成，而是顺着 800V高压直流架构，一路烧到了需求暴涨的AI数据中心战场。2026年5月21日，东芝宣布，已开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET TW007D120E的测试样品。面向下一代 AI 数据中心和可再生能源设备的电源系统。与东芝现有产品相比，该器件将单位面积导通电阻（RDS(on)A）降低约 58%，并将品质因数 RDS(on)Qgd改善约 52%；该器件采用支持顶部冷却的 QDPAK 封装。东芝还表示，将在 2026财年为 TW007D120E 的量产做准备。（图源：东芝）然而，随着沟槽阵营的全面铺开，却有厂商踩了一下刹车。罗姆（ROHM）在业内曾以极其激进的双沟槽结构闻名，早在2015年，罗姆就开始量产沟槽型SiC

MOSFET，从其第3代和第4代产品开始，罗姆不仅在栅极（Gate）挖槽，在源极（Source）也挖槽，以此追求极致的低导通电阻。然而，其最新发布的第5代SiC
MOSFET却画风突变。第5代产品不再单纯依赖此前的标准双沟槽结构，而是转向精细化改进元件结构并优化制造工艺，据了解，通过这种方式，第5代SiC MOSFET在高温工况下将导通电阻较第四代产品降低约30%。罗姆的这一策略可能反映出一些变化：沟槽SiC并不是越激进越好。对于车规级主驱逆变器、AI服务器电源和高功率工业系统而言，低导通电阻只是第一层指标，栅氧可靠性、短路鲁棒性、开关损耗、热稳定性、制造良率和成本一致性同样关键。而英飞凌的CoolSiC自诞生起就走了一条独特的不对
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