称沟槽（Asymmetric
Trench / 半沟槽）路线，并在2026年全面推进其CoolSiC
M2世代。更通俗的来说，英飞凌只利用沟槽的一侧侧壁作为通道，而将另一侧做成大面积的P+注入区，以此死死保护住沟槽底部的氧化层。而与此同时，英飞凌在2026年的技术白皮书中频繁放风其超级结（Super
Junction）SiC MOSFET的研发。这意味着英飞凌不仅在纵向挖槽，还试图在横向引入多重超结拓扑，彻底打破SiC的耐压极限。从三菱电机、博世、东芝，到罗姆和英飞凌，可以看到沟槽SiC正在呈现出不同的演进路径：有人把它推向eAxle，有人用它提升牵引逆变器功率密度，有人把它导入AI数据中心电源，也有人从结构激进转向工程兑现，甚至继续探索超级结等下一代结构。这说明，沟槽SiC的竞争已经进入深水区。它不再只是器件结构创新，而是车规量产、AI电源、先进封装、芯片减薄、热管理和工艺良率之间的系统竞争。平面SiC还没认输在沟槽型SiC被奉为圭臬的当下，另外三大超级巨头意法半导体（核心股）（ST）、Wolfspeed与安森美，并没有转向沟槽，而是通过压榨平面架构的潜力来获取商业上的胜利。就在2026年6月9日，Wolfspeed正式推出其第五代（Gen 5）SiC MOSFET技术。Wolfspeed用强悍的数据证明平面架构依然拥有可怕的进化空间：相比市面同类1200V竞品，Gen 5技术通过对导通电阻 RDS(ON)的持续优化，将比导通电阻（RSP）最高降低了27%，显著改善了系统级导通损耗； 在175的高温极限下，其1200V平台（QEM50120-25D10）实现了3.4m-cm2的超低芯片级RSP，750平台也达到了2.0 m-cm2。两个电压平台均实现了18%的超窄导通电阻分布，极大减少了工程师在系统级设计时的裕量冗余。Gen 5在维持上一代优异体二极管与低开关损耗的同时，将结温能力直接拉高至 200连续工作（极限寿命下可达215）。175 下1200 V芯片比导通电阻RSP（总面积基准）变化趋势（图源：Wolfspeed）作为凭借平面型SiC、依托早期特斯拉红利奠定全球市占率第一的ST，其一举一动也在牵动着整车厂的神经。尽管业内此前盛传其将全面转向沟槽架构，但ST在其第四代（Gen
4）SiC MOSFET的发布资料中给出的公开路线图显示，其下一代
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