（Gen
5）功率器件将继续固守平面阵营，采用一种基于平面结构的全新高功率密度技术。这种对成熟路径的坚守，无疑给摇摆中的下游主机厂吃下了一颗定心丸。安森美目前还没有推出最新的SIC平台，最新一代的EliteSiC

M3e是2024年7月发布的平台。安森美至今没有急于推出颠覆性的新架构，正是因为它两年前在前瞻性布局平面工艺时，就已经把技术指标压榨的很大。在不引入物理挖槽工艺的前提下，硬生生将导通损耗降低了约30%，关断损耗最高降低了50%。这片旧王牌在2026年的商用战场上依然展现出恐怖的生命力：2025年底至2026年，小米重磅推出的全新电动SUV YU7，其800V动力主驱平台核心采用的就由安森美的M3e。在
2026年4 月的北京车展上，安森美宣布与蔚来（NIO）、吉利深化战略合作，将增强型的 M3e
平台直接推向下一代900V高压快充架构。官方数据显示，1200V M3e
裸芯片在相同的牵引逆变器壳体中可以提供约20%的更高输出功率，或者在固定功率等级下减少约20%的SiC用量。或许，正是这种高成熟度平面工艺带来的高性价比，恰恰解释了为什么安森美敢于在近期缩减捷克厂区的上游晶圆自产产能既然底层的平面设计已经足够优秀且稳定，转向外购低成本原料，自己专心做后段封装和系统级高压卡位，才是更精明的商业算盘。出现了一种折中方案2026年2月纳微发布了第五代GeneSiC平台，技术名称是：Trench-Assisted Planar，TAP，沟槽辅助平面结构。这有点是平面和沟槽的折中方案。不过在本质上它扔属于平面栅极结构，但是在平面栅的设计中战略性地引入浅沟槽，有效克服了传统平面架构和沟槽架构中通常存在的固有取舍。与上一代1200V技术相比，第5代平台RDS(on)QGD这一品质因数（FoM）改善35%，QGD/ QGS比值提升约25%。首发主打的是车规与工业级刚需的 1200V 系列，与第四代已有的 2300V/3300V 超高压技术形成互补。根据《沟槽辅助平面技术的白皮书》所述，在这种设计中，电流流动的沟道主要形成在 SiC 晶圆的顶部表面。与传统沟槽技术相比，这种平面配置简化了制造过程。一般来说，平面栅工艺复杂度较低，并且相较于涉及深刻蚀、高深宽比沟槽的工艺，能够带来更高的制造良率。不同功率 MOSFET 技术的晶胞间距：双沟槽、不对称沟槽、
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