狂热，取而代之的是工业巨头之间刀刀见肉的阵地战。无疑，沟槽结构正在成为SiC MOSFET打开性能上限的重要工具。但与此同时，平面结构并没有退场。沟槽打开了性能上限，平面守住了成熟制造和车规可靠性的底线。在这场由海外巨头主导的平面vs沟槽技术大决战，国内本土 SiC 芯片厂商似乎并没有太大的公开声音。不过这种寂静背后，折射出国内与海外厂商在战略优先级上的本质差异：第一是战略重心的不同：海外巨头（如英飞凌、罗姆、意法）在平面技术红利期结束后，必须依靠技术换代（沟槽）来维持高毛利和技术话语权。而国内本土供应链（如衬底、外延、晶圆制造）核心任务是加速建立自主供应链并实现规模化卡位。在
800V 乃至更高高压的主流新能源车、光伏（核心股）市场中，成熟的平面型 SiC 工艺已经完全够用，且良率更容易把控。第二，极致的性价比攻势： 国际同行在实验室（核心股）里争论双沟槽、半沟槽和超结拓扑时，国内厂商正凭借强大的制造红利、低廉的电价与产业链聚集效应，把平面型晶圆的成本死死压在400 美元附近。这种价格甚至倒逼安森美等海外 IDM 巨头放弃部分自产晶圆、转向外购。第三，暗度陈仓的研发布局：没声音并不代表没动作。事实上，国内头部功率器件大厂与晶圆代工厂在沟槽工艺、甚至 8 英寸沟槽线的研发布局上一直在低调推进。只是在目前的商业环境下，国内厂商采取了更务实的策略。真正决定下一代SiC厂商竞争力的，不是有没有挖沟，而是谁能把器件结构、外延质量、晶圆尺寸、栅氧工艺、封装散热、短路保护和系统验证做成一个完整闭环。而无论挖不挖槽，他们都在为全球电动化供应链提供更多元、更高效的解法。



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