6月12日，证监会同意长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请。当晚，上交所官网显示，长鑫科技的科创板IPO审核状态变更为注册生效。作为中国第一、全球第四的DRAM厂商，长鑫科技科创板闯关成功，宣告国产存储替代正进入资本加速阶段。几乎同一时期，长江存储控股股份有限公司完成IPO辅导备案，旗下全资子公司长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）是中国第一、全球第六的NAND厂商。站在资本市场大门前回望来路，从2016年至今，中国存储产业用十年时间完成了一场逆战，于荒芜中铸就了“合肥—武汉”双城并立的格局。图片来源：IC photo十年磨双剑2016年，长江存储、合肥长鑫、福建晋华三个存储器项目相继启动。这一年，也被称为中国大陆存储器产业发展的元年。三个存储器项目分工明确：长江存储重点发展NAND Flash；合肥国资与兆易创新合作设立长鑫，自主研发DRAM；福建晋华原计划通过与联华电子（UMC）合作开发DRAM，但因陷入法律纠纷，发展停滞。历经“只闻烧钱、不见出片”的三年后，2019年，中国大陆存储芯片迎来了产业化元年：长鑫的12英寸DRAM晶圆厂在合肥投产，并推出自主设计的8GB DDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业“从0到1”的突破；长江存储32层3D NAND闪存芯片实现量产，并宣布64层256Gb TLC 3D NAND闪存芯片投产。两大项目的相继量产，标志着中国存储产业跨越了“从0到1”的死亡之谷。其背后是上百亿元的投入：长鑫存储创始人朱一明曾在2019年一次公开活动上透露，长鑫存储成立以来已花费25亿美元用于研发和资本支出。而量产只是起点，国产存储与国际存储的差距，还存在代际差。为此，“两存”双双选择跳代研发，以资本、人才与市场的巨大投入为代价，换取技术迭代的宝贵时间窗口。2020年，长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存研发成功，跳过96层，直接从64层进入128层。长鑫存储则在2019年量产19nm后，工艺路线跳过18nm，直接投入17nm研发。此后在产品维度上，长鑫也未在DDR4的渐进迭代中消耗资源，而是迅速将研发重心转向DDR5和LPDDR5。跳代研发让“两存”完成了从“跟跑者”到“并跑者”的身份转换。2022年，长江存储率先量产2
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