Bernstein最新发布的2025年中国晶圆制造设备（WFE）竞争格局报告显示，2025年中国半导体设备整体国产化率从2024年的16%跃升至21%，刻蚀、薄膜沉积、掺杂、过程控制等关键环节均实现显著突破。与此同时，存储超级周期驱动国内晶圆厂大幅上修未来几年扩产计划，国产替代从“去美化”迈入“全链路自主”新阶段，半导体设备正迎来份额提升与工艺升级的双击。 半导体设备ETF国泰（159516）大涨2%，连续3日净流入超16亿元，盘中流入超3亿份，覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗、测试等核心环节，是布局国产替代加速与存储扩产红利的核心工具。 【Bernstein最新数据：国产化率跃升至21%，刻蚀/沉积双龙头格局强化】 Bernstein于5月底发布的中国WFE竞争格局报告显示，2025年中国半导体设备整体自给率从2024年的16%提升至21%，提升幅度达5个百分点，是自2019年以来年度提升最快的一年。刻蚀、薄膜沉积、掺杂、过程控制等核心环节集体突破，国产替代逻辑正从“政策驱动”走向“技术成熟+商业竞争力”的双轮驱动。 刻蚀与薄膜沉积仍是国产替代主力，国产化率分别达31%和27%。 刻蚀领域，中微公司与北方华创共同占据了国内厂商约95%的份额，中微在CCP刻蚀领域持续领先，北方在ICP领域优势稳固。薄膜沉积领域，北方华创和拓荆科技是两大主力，北方在PVD领域保持垄断地位，拓荆在PECVD领域领先。值得注意的是，中微公司已开始在LPCVD/ALD领域确认收入，成为沉积赛道的新兴力量，国产设备龙头的平台化竞争正在加剧。 掺杂与过程控制首次突破10%国产化率，边际改善最显著。 报告显示，掺杂和过程控制环节2025年国产化率分别达到13%和10%，同比增速高达86%和63%，是增长最快的细分领域。北方华创首次在掺杂领域确认收入，已跻身国内第二。过程控制环节，中科飞测、精测电子等企业持续突破，在无图形晶圆检测、薄膜量测等领域逐步实现批量供货。低国产化率环节的加速追赶，意味着替代空间被进一步打开。 【SK海力士375层NAND量产在即，钼材料导入催化全流程工艺重构】 SK海力士已完成375层3D NAND生产
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