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  800V高压直流(HVDC)供电架构有望提前实现商用落地

  由于AI数据中心耗电量剧增，800V高压直流(HVDC)供电架构有望提前实现商用落地。据报道，英伟达VeraRubin平台以及谷歌新一代AI数据中心将率先采用该方案，或带动新一轮AI基础设施升级浪潮。产业链预计，相关产品三季度开启小批量出货，台达电子、朋程科技、松川精密等厂商将最先受益，高压直流产业链市场机遇提前释放。

  开源证券研报指出，碳化硅迎量价齐升新空间。英伟达推动数据中心电源架构向800V高压直流升级，显著拉动SiC价值量与渗透率。根据CitriniResearch测算，每1MWAI机柜电源转换BOM成本中，SiC、GaN等宽禁带器件占新增成本64%。预计2024-2030年SiC市场规模由35亿美元增至124亿美元，AI基础设施将贡献近半数需求。2025年天岳先进、Wolfspeed在碳化硅衬底市场的份额分别为27.6%、24.9%，行业集中度持续提升。华西证券表示，行业多家企业Q1法说会或公告均表示行业景气度提升，其中AI电源端需求增长显著，带动全球SiC核心标的市场表现突出。富士康、博世、三星等全球头部企业也正加大重视SiC。

  上市公司中，天岳先进是全球碳化硅衬底龙头。2025年公司碳化硅衬底整体市场份额及8英寸产品市场份额均位居全球第一。晶升股份与客户在8英寸和12英寸碳化硅及12英寸半导体硅方面都有业务合作。

  效率刷新世界纪录，我国造出大面积全钙钛矿叠层组件

  据南京大学消息，该校教授谭海仁团队联合仁烁光能(苏州)有限公司团队成功研制出大面积全钙钛矿叠层光伏组件，经日本电气安全环境研究所(JET)认证，该组件的光电转换效率高达26.2%，刷新了该面积等级全钙钛矿叠层光伏组件的世界纪录。

  光伏电池发展到第三代钙钛矿电池，核心优势为转化效率高、损失低、量产后成本更低。国盛证券研报认为，当前钙钛矿单GW产线投资额约为10亿元，组件单位生产成本约1.2元/W，高于晶硅组件。未来随着设备国产化替代、集成化升级、产能利用率提升，以及材料配方优化和工艺流程简化，预计2026年组件单位成本降至1.0元/W，成本竞争力有望赶超晶硅电池。

  上市公司中，天合光能凭借自主研发的高效钙钛矿/晶体硅
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