IBM宣布实现全球首个1纳米以下芯片制造技术突破，采用0.7纳米Nanostack三维堆叠架构，可在指甲大小芯片上集成近1000亿个晶体管，最高带来50%的性能提升和70%的能效提升，并预计未来五年具备量产条件。IBM(IBM.N)周四公布新一代芯片制造技术，宣布实现全球首项可制造1纳米以下芯片的突破，并预计该技术将在未来五年内具备量产条件。在人工智能推动算力（核心股）需求快速增长、电力成本成为数据中心重要瓶颈的背景下，这项技术有望进一步提升芯片性能与能效。消息公布后，IBM盘前股价一度上涨逾6%，不过今年以来累计仍下跌约11%。此次发布的芯片采用0.7纳米晶体管架构，即7埃，被IBM定义为全球首个突破1纳米门槛的芯片制造技术。目前，台积电已量产约2纳米制程芯片，英特尔(INTC.O)上周则表示，其18A工艺已进入风险试产阶段，对应约1.8纳米技术。IBM表示，新工艺可在指甲大小的芯片上集成近1000亿个晶体管，晶体管密度约为公司2021年发布2纳米技术的两倍，可带来最高50%的计算性能提升，或最高70%的能效提升。支撑这一突破的是IBM开发的新型Nanostack（纳米堆叠）晶体管架构。与传统平面排列方式不同，该方案采用三维垂直堆叠设计，在相同面积内容纳更多晶体管，提高芯片集成度。IBM Research负责人杰伊甘贝塔（Jay Gambetta）表示：借助全新的Nanostack架构，我们不仅实现了更小尺寸的晶体管，更重新定义了芯片的构建方式，从而带来显著更高的计算性能和能源效率。随着全球持续建设AI数据中心，供电已成为行业面临的重要约束，高功耗AI芯片（核心股）甚至导致部分数据中心项目因难以获得价格合理的电力而推迟建设。IBM认为，新技术能够缓解这一问题。尽管IBM早已退出芯片制造业务，不再自行生产和销售芯片，但其位于纽约州奥尔巴尼的实验室（核心股）仍持续开展半导体（核心股）工艺研发，并通过技术授权与制造商合作。此前，三星电子(005930.KS)和日本Rapidus均获得过IBM相关芯片技术授权。IBM同时表示，这项技术有望让芯片持续微缩的发展趋势再延续约10年。长期以来，行业依赖不断提升晶体管密度来提高计算性能，这一规律被称为摩尔定律。近年来，由于制造成本持续攀升，继续缩小晶体管尺寸带来的成本优势已明显减弱，包括英伟达(NVDA.O)首
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