升并创下新高。订单能见度最高达9个月，部分热门型号的待交订单已超过一年。史诗级扩产当前，全球产业链正处于新一轮上行，全球芯片巨头纷纷开启大规模扩产。6月29日，韩国产业通商资源部长官金正官表示，计划投资800万亿韩元（约5180亿美元）在韩国西南部建设四座制造厂，预计在五年内将DRAM生产能力翻倍，预计全球内存市场将在5年内增长四倍。金正官指出，韩国计划加快西南地区的审批和建设，以迅速扩大产能。韩国中部地区将重点发展技术，而东南部地区将发展成为、零部件和设备以及下一代功率芯片的中心。三星电子会长李在镕和SK集团会长崔泰源在会上共同宣布一项在未来10年内总额高达2000万亿韩元（约1.3万亿美元）的跨时代本土投资计划。其核心是打破传统的首都圈集中模式，向以全罗道为中心的西南地区进行大举投资。其中，三星电子计划将光州原空军基地选为前道工序晶圆厂（Fab）的核心选址，预计建设4-5座晶圆厂；也将在光州打造4-5座前道晶圆厂。仅在新设项目上，两家巨头的投资额预计将各达600万亿韩元，远超此前京畿道龙仁集群的规模。表示，当前全力推进扩产，规划五年内晶圆产能翻倍、2034年产能扩至三倍，2026年资本支出将大幅高于去年，大幅拉升了上游设备采购需求，迎来卖方市场。存储扩产有望带动放量，看好相关设备商和零部件的出海机遇，同时国产化替代进程加速，设备需求有望放量。指出，伴随存储企业扩产，全球市场有望迎来快速增长。此外，当前我国国产化率整体仍较低，伴随自主可控要求提高、国内企业产品竞争力提高，国产化率有望提高。
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