们认为原厂仍有涨价意愿，以及存储价格在每轮上行周期至少持续6-8个季度上涨，本轮上行周期存储价格仅上涨了2个季度，所以存储涨价趋势或将持续更久。未来随着存储价格持续涨价带来的营业利润率改善，存储厂商有望迎来业绩与估值的戴维斯双击，行业存在较大的反弹空间。HBM和DDR5高端存储需求提升，长期看好存储产业链国产化。处理器升级推动DDR5渗透率快速提升，预计2023年DDR5渗透率有望达到25%-30%，2024年年中渗透率可能超过50%。受益于人工智能需求爆发，根据TrendForce数据，预计2024年HBM全球市场规模将达到169亿美元。从工艺角度看，主流厂商已进入到对应10nm/12nm制程节点的贝塔工艺，长鑫已经开始批量生产18.5nm工艺的DRAM芯片，月产量高达10万片晶圆，同时预计将有更多HBM和DDR5相关规划，长存2022年初率先实现232层3DNAND量产，首次领先海外厂商。内存芯片和模组国产化是关键，长鑫和长存的快速发展势必将加速存储产业链的国产化。重点公司关注：存储仍具有较好成长性，看好行业周期反转的确定机会，及产业链国产化趋势下的投资机遇。建议关注：1）存储模组：佰维存储、德明利、江波龙；2）存储芯片设计：兆易创新、北京君正、东芯股份、普冉股份；3）模组侧配套芯片：澜起科技、聚辰股份；4）HBM产业链：长电科技、通富微电、甬矽电子；赛腾股份、精智达；华海诚科、联瑞新材（化工组覆盖）；香农芯创。风险提示：下游需求复苏不及预期风险、技术研发进程不及预期风险、国产替代不及预期风险、地缘政治风险。




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