继GPU之后，AI引爆的投资焦点正顺延至存储芯片，掀起新一轮IPO热潮。1月6日晚间，紫光国芯（874451.NQ）公告表示，陕西证监局对该公司报送的向不特定合格投资者公开发行股票并在北京证券交易所上市辅导备案文件予以受理，该公司自2026年1月5日进入辅导期。同样在近日，国内最大的DRAM企业长鑫科技的科创板IPO申请已正式获得受理，内存接口芯片企业澜起科技（688008.SH）也已通过港股IPO聆讯，还有多家垂直细分领域的领军企业正在排队或已处于上市进程中。DRAM Fabless厂商冲刺北交所紫光国芯是国产DRAM设计的领先企业之一，其前身可追溯至2004年成立的德国英飞凌西安研发中心存储器事业部。该公司于2009年被浪潮集团收购并改制更名为西安华芯，后于2015年被紫光集团旗下紫光国微收购，更名为西安紫光国芯。在2023年完成股份制改制后，紫光国芯于2024年登陆新三板，并于2025年升入创新层。紫光国芯开发的存储器芯片产品覆盖标准SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4和移动用LPDDR、LPDDR2、LPDDR4，其中二十余款产品实现全球量产和销售；存储器模组产品包括服务器内存模组（RDIMM）、笔记本内存模组（SODIMM）和台式机内存模组（UDIMM），四十余款模组产品实现全球量产和销售。在传统存储产品业务以外，该公司还开发出了三维堆叠DRAM（SeDRAM）技术，并开发了超大带宽、超低功耗的堆叠大带宽系列产品。开源证券指出，该产品结合了公司所掌握的DRAM芯片和逻辑芯片的设计技术优势，为近存计算、人工智能、高性能计算等提供了创造性的存储方案。在DRAM存储市场量价齐升的2025年，上半年紫光国芯实现营业收入7.5亿元，较上年同期增长38.64%；归属挂牌公司股东的净利润568.3万元，同比增长139.54%，实现扭亏为盈。值得一提的是，不同于DRAM行业普遍采取的IDM模式，紫光国芯采用了Fabless模式。但在NOR Flash等其他存储芯片领域，Fabless模式较为常见。国金证券研究指出，在市场需求旺盛、行业竞争激烈情况下，Fabless更具灵活性。如在国际存储器龙头纷纷退出NOR Flash和SLC NAND中低端市场的背景下，在市场缺口竞争中，兆易创新凭借Fabless
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