〈a class=singleStock target=_blank onmouseover=javascript:tip.createStockTips (event,hs_601066,中信建投) href=/601066/〉中信建投（601066）发布研报称，AI供电方案的根本驱动力是单芯片和单机柜功率的不断提升，目前以英伟达(NVDA.US)为首的AI芯片厂商不断迭代升级其最新AI芯片的功率。通过NVL72(英伟达)、Superpod(谷歌)等多芯片设计，单机柜功率进一步向MW级迈进。至2028年北美新增AI数据中心功率可达71GW。根据产业趋势优先，兼顾弹性和公司α，AIDC电源主机、电站级储能、核心增量零部件以及GaN、SiC等第三代半导体四大方向值得关注  中信建投主要观点如下：  AI供电方案的根本驱动力是单芯片和单机柜功率的不断提升  以英伟达为首的AI芯片厂商不断迭代升级其最新AI芯片的功率。英伟达已从Maxwell时代单颗芯片250W提升至B200芯片的超过1000W；谷歌、微软、Meta等自研芯片也向单颗1000W以上迈进。通过NVL72(英伟达)、Superpod(谷歌)等多芯片设计，单机柜功率进一步向MW级迈进。至2028年北美新增AI数据中心功率可达71GW。  大功率化、高压化、直流化是AIDC电源迭代的主要方向  英伟达发布的800V供电白皮书给出了交流→800V直流(低压整流器过渡)→800V直流(HVDC sidecar方案)→SST(固态变压器)的清晰迭代路径。同时OCP组织通过多批标准的迭代也确立了±400V的供电标准。但两者目的均是通过直流供电实现MW级机柜功率，也认可SST作为终极的供电方案。  从无到有，从小到大：供电方案迭代带来了哪些变化和增长？  从产品形态来看，集成多种设备和功能的HVDC Sidecar、SST主机能够实现一步降压、交直转换、备电和电能质量改善等多种功能。而其研发的关键难点在其中的功率变换模块(PSU)、高频隔离变压器等；从技术基础来看，第三代宽禁带半导体如SiC、GaN是电源能够实现高电压、高效率、高变比输出的关键，同时电路拓扑的设计对公司研发实力要求高。  从增量环节来看，采用高压直流供电后需增设机柜内固
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