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SK海力士打响存储扩产第一枪,3月看好设备+耗材扩产链
== 2026/3/2 11:10:21 == 热度 188
  开源证券近日发布电子行业点评报告:2月25日,SK海力士宣布2030年前投资21.6万亿韩元(约150.7亿美元),用于建设首座厂房及洁净室设施,预计洁净室的开放时间将从原定的2027年5月提前至2027年2月,工厂投产进度有望同步加快。此前,海力士透露目前DRAM及NAND库存仅剩约4周,供应高度趋紧。  以下为研究报告摘要:  事件:SK海力士150亿美金追投,打响全球存储扩产第一枪  2月25日,SK海力士宣布2030年前投资21.6万亿韩元(约150.7亿美元),用于建设首座厂房及洁净室设施,预计洁净室的开放时间将从原定的2027年5月提前至2027年2月,工厂投产进度有望同步加快。此前,海力士透露目前DRAM及NAND库存仅剩约4周,供应高度趋紧。我们认为,受AI需求增长及洁净室空间受限影响,存储芯片正全面进入“卖方市场”。为应对当前供应瓶颈,以及抢跑AI驱动下新一轮需求高点,主动扩产或已成为头部厂商的必然选择,海力士大规模追投将成为全球存储扩产的明确信号。  国内先进逻辑扩产有望超预期,国产替代趋势持续  国内先进逻辑扩产规划趋于明朗,从需求端来看,随国内AI产业的蓬勃发展,摩尔线程、沐曦股份、天数智芯及壁仞科技等纷纷上市,带来庞大的先进制程代工需求。当前,以中芯国际与华虹半导体为代表的代工龙头正加速推进高端制造布局。我们认为,在下游先进逻辑代工需求旺盛的背景之下,国内先进逻辑扩产有望加速落地。  此外,2月24日,商务部公告将20家日本实体列入出口管制管控名单,至此中日半导体博弈走向“双向反制”,进一步强化日系供应链不可靠预期。2025年,国内晶圆厂新增产线国产设备金额占比已达55%,刻蚀、清洗等关键环节国产化率突破六成。在此背景下,半导体设备“去日化”有望提上日程,日本长期占优的切割、检测、清洗等领域预计将率先受益。  英伟达Feynman引领3D封装趋势,混合键合设备迎增量机遇  据IT之家援引Wccftech报道称,英伟达计划在2028年推出的Feynman芯片中采用3D封装并通过混合键合将LPU堆叠在主芯片上,以期实现性能突破。未来随着AI芯片对互联密度与功耗控制的要求持续提升,先进封装与混合键合将迎关键增量。国内方面,〈a class=singleStock target=_
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