中证报近日，日本知名调研机构富士经济发布报告显示，2025年中国企业天岳先进（SICC在6英寸、8英寸碳化硅衬底市场占有率双双位居全球首位。其中，整体碳化硅衬底市场占有率登顶全球第一，8英寸产品全球市占率更是突破50%，打破了Wolfspeed多年来的榜首记录。从稳居全球前三，到2024年跃居全球第二，再到2025年全面领跑，天岳先进用三年完成跨越式突破。 碳化硅衬底是第三代半导体核心材料，是新能源汽车、光伏储能、AI算力等高端产业的关键基石。衬底制备难度大、成本高，市场份额直接体现技术实力与产业话语权。2023年前，天岳先进虽稳居全球前三，但与Wolfspeed差距明显。随着2023年年中临港工厂投产，长期技术积累转化为市场优势。2024年，公司以22.80%的份额位居全球第二。2025年，凭借产能与技术优势，以及与博世、英飞凌等国际大厂的深度合作，天岳先进实现全面领跑。 陡峭的增长曲线，源自前瞻性技术布局与长期产业深耕。以天岳先进为代表的国内企业实现规模化突破，为电动汽车、新能源、AI数据中心等下游领域打开了广阔空间。以新能源车为例，国产车主驱模块中的碳化硅器件已由高端选配加速迈向主流标配，车载充电机、DC-DC变换器等核心部件也已逐步采用SiC方案，碳化硅渗透进程全面提速。 碳化硅的应用边界还在持续拓展。AI算力的指数级爆发，倒逼数据中心供电架构革命性升级，800V高压直流与固态变压器为碳化硅带来前所未有的市场机遇。在AR眼镜光学领域，半绝缘型SiC衬底凭借高热稳、低色散等特性实现突破性应用；在先进封装领域，碳化硅中介层可有效提升散热性能，台积电等企业正推进其在CoWoS封装中的应用。 从产业格局看，天岳先进在8英寸碳化硅产品上先发优势显著。与6英寸晶圆相比，8英寸可增加芯片产量90%，SiC MOSFET成本有望降低54%，大尺寸将进一步加速碳化硅的大规模应用。目前全球已有超过10条8英寸SiC产线规划落地，天岳先进已成为行业大尺寸化趋势中最具话语权的引领者。 在技术创新方面，天岳先进首创液相法制备技术，能够制备无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底，并最早布局12英寸碳化硅技术，2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底，2025年完成全产品矩阵构建。2021年与2025年，公司分别凭借半绝缘型与导电型碳化硅衬底两度获评国家制造业单项冠军，成为行业内
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