4月24日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟编写的《第三代半导体产业发展报告（2025）》（简称《报告》）在2026九峰山论坛开幕式上发布。“AI浪潮推动全球半导体产业强劲发展，宽禁带半导体为代表的化合物半导体成为半导体领域高端产业链话语权争夺的焦点。”第三代半导体技术产业创新战略联盟理事长吴玲接受记者采访时表示，我国在光电子、射频电子和功率电子领域建立了较为完整的研发和产业体系，正处于从“技术突破”向“产业领先”加速迈进的关键阶段。从技术追赶到局部领先《报告》指出，2025年全球半导体产业势头强劲，叠加新能源汽车、光伏储能等下游领域需求放量，我国第三代半导体产业持续高速增长。第三代半导体功率电子领域市场规模约227亿元，同比增长28.6%，其中新能源汽车及交通市场突破148亿元，消费电子市场接近32亿元，电信及基础设施成为增速最快领域。GaN射频器件市场119亿元，同比增长9.2%；光电方面，车用LED领域保持增长，GaN基激光器市场规模达70亿元。“从供给端来看，国内第三代半导体功率电子、射频电子、LED产值分别为231亿元、47亿元、1037亿元。”《报告》显示，国内碳化硅（SiC）衬底、外延及晶圆（折合6英寸）产能分别为420万片、230万片、190万片，产量分别为205万片、93万片、85万片，产能利用率较上年有所提升。GaN功率电子的外延及晶圆（折合6英寸）产能分别为96万片和74万片，产量分别为63万片和43万片，较上年实现较大增长。射频电子外延及晶圆（折合6英寸）产能分别为17万片和15万片，国产化率进一步提升。产业格局上，我国企业全球市占率显著提升。根据《报告》提供的数据，天岳先进、天科合达等跻身SiC衬底全球前三，瀚天天成、天域半导体等进入SiC外延全球前二，SiC材料整体供给占全球一半，英诺赛科GaN功率器件全球市占率继续保持第一。技术方面，SiC 8英寸衬底实现规模化供货，12英寸外延全球首发，GaN相关技术取得突破；超宽禁带半导体多项技术实现国际首发。展望2026年，《报告》预计，经历了行业的规模化增量，第三代半导体功率及射频电子产值增速有望达到15%以上。“对能源效率、信息速度和极端环境适应能力的需求，是新材料、新器件技术不断创新发展的核心驱动力。”吴玲认为，我国已实现从技术追赶到局部领先的跃升，未来5
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