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  三星电子完成900层超高堆叠3DNAND闪存原型开发

  据媒体报道，三星电子近期利用单元多层键合(CMB)技术连接两片450层3DNAND，构建了全球首个900层超高堆叠3DNAND闪存原型，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。

  随着AI产业趋势持续，存储龙头加速向先进制程及高端产品线迭代，存储产业链高景气也将维持。中信证券指出，当前存储原厂扩产面临主客观双重约束，2026年有效产能释放受限，预计新产能实质释放需待2027年底至2028年，且过程中供给增速上修空间有限。坚定看好存储产业趋势，行业有望维持高景气，原厂及相关存储设计公司有望更长时间维持高盈利。

  公司方面，佰维存储发布的MiniSSD产品支持PCIe4.0×2接口与NVMe1.4协议，采用3DTLCNAND介质，读取速度高达3700MB/s，写入速度高达3400MB/s，容量范围覆盖512GB~2TB，IP68级防尘防水，3米抗摔防护，即插即用的插槽设计，具备灵活的可拆卸性，可充分满足智能手机、NAS、智能相册、笔记本电脑、平板、移动固态硬盘等多种场景的高效存储需求。华海清科的CMP装备在逻辑芯片、DRAM存储芯片、3DNAND存储芯片等领域客户端生产线均表现突出，长期连续运行的技术指标和可靠性指标均达到国际同类设备水平。

  SK海力士发布控温散热存储技术“iHBM”

  SK海力士26日宣布，公司发布“iHBM”技术。该技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE*”，显著降低产品运行时的发热量。SK海力士计划将iHBM技术应用于HBM5等下一代产品，以满足高性能计算(HPC)、AI数据中心等超高度集成、高带宽应用场景的严苛散热管控需求，进一步提升整体系统的稳定性与运行效率。

  芯片散热技术的发展与半导体性能的迭代紧密相随。长城证券认为，随着AI芯片、先进封装对散热方案要求持续提升，散热赛道景气度进一步上行。国内散热企业依托本地化供应链与快速响应优势，在产品工艺上持续追赶，叠加下游客户供应链安全考量，高端散热器件国产替代进程显著加快，本土产业链有望迎来量价齐升的成长阶段。

  上市公司中，中石科技的导热界面材料(TIM)包括导热垫片、导热硅脂、导热凝胶、导热相变材料、液态金属、金刚石复合材
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